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  • 柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

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    BSS123N H6327

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  • 深圳市金華微盛電子有限公司

    4年

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  • 深圳市祥億豐創(chuàng)展電子有限公司

    5年

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  • 深圳市芯福林電子科技有限公司

    8年

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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

    10年

    13267088774(微信同號(hào))Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號(hào)樓10A8240主營(yíng)品牌：TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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  • Infineon Technologies　
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BSS123N H6327 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商：Infineon Technologies
  • PDF文件大?。?70.50 Kbytes
  • PDF文件頁(yè)數(shù)：共9頁(yè)
  • 描述：MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
BSS123N H6327技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:SOT-23-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:190 mA
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.4 Ohms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:900 pC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 資格:AEC-Q101
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 高度:1.1 mm
  • 長(zhǎng)度:2.9 mm
  • 系列:BSS123
  • 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
  • 寬度:1.3 mm
  • 商標(biāo):Infineon Technologies
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值:410 mS
  • 下降時(shí)間:22 ns
  • 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
  • 上升時(shí)間:3.2 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:3000
  • 子類(lèi)別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:7.4 ns
  • 典型接通延遲時(shí)間:2.3 ns
  • 零件號(hào)別名:BSS123NH6327XT BSS123NH6327XTSA1 SP000870646
  • 單位重量:8 mg
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